ELETRÔNICA ANALÓGICA I
Na figura abaixo V1 = 8V e V2 = 4V. Qual diodo irá conduzir?
Haverá alternância de estado entre os diodos
D1
Nenhum irá conduzir
D1 e D2 irão conduzir
D2
Podemos considerar que a pastiha P de um diodo PN possui as seguintes caracteristicas:
Chamada de catodo, tendo elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários.
Chamada de catodo, tendo lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de material intrínseco, tendo prótons como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de anodo, tendo lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de anodo, tendo elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários.
Para o cirucito abaixo, calcule o valor da tensão no resistor R1 (VR1) e da corrente do circuito (I):
(Considere a tensão da bateria de 12V, o diodo D1 de silício, a tensão do LED durante a condução de 2,2V e o valor de R1 de 820 ohms)
VR1 = 9,8V e I = 11,95mA
VR1 = 0V e I = 0A
VR1 = 9,1V e I = 11,1mA
VR1 = 12V e I = 14,63mA
VR1 = 9,5V e I = 11,58mA
Ao realizar testes com um diodo de silício submetemos o componente a três situações de acordo com a imagem abaixo:
Podemos considerar as três condições como:
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo não conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
Um circuito retificador de onda completa com Center Tape possui uma tensão de pico na Carga de 40,7V. Sabendo-se que foram utilizados diodos de Germânio, qual é, aproximadamente, a tensão eficaz no secundário do transformador. Escolha a alternativa correta.
41,3V
82,6V
57,9V
62V
115,07V
A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
Haverá alternância de estado entre os diodos
D1
Nenhum irá conduzir
D1 e D2 irão conduzir
D2
Podemos considerar que a pastiha P de um diodo PN possui as seguintes caracteristicas:
Chamada de catodo, tendo elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários.
Chamada de catodo, tendo lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de material intrínseco, tendo prótons como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de anodo, tendo lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de anodo, tendo elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários.
Para o cirucito abaixo, calcule o valor da tensão no resistor R1 (VR1) e da corrente do circuito (I):
(Considere a tensão da bateria de 12V, o diodo D1 de silício, a tensão do LED durante a condução de 2,2V e o valor de R1 de 820 ohms)
VR1 = 9,8V e I = 11,95mA
VR1 = 0V e I = 0A
VR1 = 9,1V e I = 11,1mA
VR1 = 12V e I = 14,63mA
VR1 = 9,5V e I = 11,58mA
Ao realizar testes com um diodo de silício submetemos o componente a três situações de acordo com a imagem abaixo:
Podemos considerar as três condições como:
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo não conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
Um circuito retificador de onda completa com Center Tape possui uma tensão de pico na Carga de 40,7V. Sabendo-se que foram utilizados diodos de Germânio, qual é, aproximadamente, a tensão eficaz no secundário do transformador. Escolha a alternativa correta.
41,3V
82,6V
57,9V
62V
115,07V
A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
Chamada de catodo, tendo elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários.
Chamada de catodo, tendo lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de material intrínseco, tendo prótons como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de anodo, tendo lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários.
Chamada de anodo, tendo elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários.
Para o cirucito abaixo, calcule o valor da tensão no resistor R1 (VR1) e da corrente do circuito (I):
(Considere a tensão da bateria de 12V, o diodo D1 de silício, a tensão do LED durante a condução de 2,2V e o valor de R1 de 820 ohms)
VR1 = 9,8V e I = 11,95mA
VR1 = 0V e I = 0A
VR1 = 9,1V e I = 11,1mA
VR1 = 12V e I = 14,63mA
VR1 = 9,5V e I = 11,58mA
Ao realizar testes com um diodo de silício submetemos o componente a três situações de acordo com a imagem abaixo:
Podemos considerar as três condições como:
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo não conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
Um circuito retificador de onda completa com Center Tape possui uma tensão de pico na Carga de 40,7V. Sabendo-se que foram utilizados diodos de Germânio, qual é, aproximadamente, a tensão eficaz no secundário do transformador. Escolha a alternativa correta.
41,3V
82,6V
57,9V
62V
115,07V
A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
VR1 = 9,8V e I = 11,95mA
VR1 = 0V e I = 0A
VR1 = 9,1V e I = 11,1mA
VR1 = 12V e I = 14,63mA
VR1 = 9,5V e I = 11,58mA
Ao realizar testes com um diodo de silício submetemos o componente a três situações de acordo com a imagem abaixo:
Podemos considerar as três condições como:
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo não conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
Um circuito retificador de onda completa com Center Tape possui uma tensão de pico na Carga de 40,7V. Sabendo-se que foram utilizados diodos de Germânio, qual é, aproximadamente, a tensão eficaz no secundário do transformador. Escolha a alternativa correta.
41,3V
82,6V
57,9V
62V
115,07V
A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo não conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
1ª Situação: Diodo não conduzindo / 2ª Situação: Diodo não conduzindo / 3ª Situação: Diodo conduzindo
Um circuito retificador de onda completa com Center Tape possui uma tensão de pico na Carga de 40,7V. Sabendo-se que foram utilizados diodos de Germânio, qual é, aproximadamente, a tensão eficaz no secundário do transformador. Escolha a alternativa correta.
41,3V
82,6V
57,9V
62V
115,07V
A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
41,3V
82,6V
57,9V
62V
115,07V
A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.
Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos
Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.
A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.
A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.
Considerando as afirmações:
(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).
(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).
(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.
(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.
Podemos classificar com verdadeiras
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
todas as afirmações.
apenas a afirmação 1.
as afirmações 1 e 2.
as afirmações 1, 2 e 3.
as afirmações 2, 3 e 4.
(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.
(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.
(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%
(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%
Analise o circuito a seguir.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.
Base comum.
Coletor comum.
Emissor comum.
Seguidor de emissor.
Push-Pull.
Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.